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              打破歐美日企壟斷!東風IGBT模塊實現量產 一期產能30萬

              日前,從東風汽車官方獲悉,自7月7日智新半導體IGBT生產線正式投入量產以來,每日產量穩定在150只左右。



              根據規劃,智新半導體建成的一期年產能30萬只,二期建成后年產能120萬只,極大緩解對國外的依賴程度。



              IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,與MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)功能相似,可控制的電壓范圍更高。



              它是新能源汽車電動系統的核心組成,能直接控制全車交直流轉換、功率調控等核心指標。



              當前,我國車規級IGBT約占全球市場份額30%以上,中高端IGBT主流器件市場被歐美日企業壟斷,IGBT產品對外依賴度將近95%,已嚴重制約我國新能源產業快速、健康發展。



              為解決功率半導體器件“卡脖子”問題,東風公司與中國中車2019年6月合資成立,智能半導體有限公司,開始自主研發生產車規級的IGBT芯片模塊,旨在打破歐美日企業在中高端IGBT市場的壟斷地位。



              自7月7日正式啟動量產以來,IGBT生產線運轉情況良好,目前每班每日產量穩定在150只左右。



              目前智新半導體的IGBT生產線已完全進入全自動化生產流程,首批下線的IGBT模塊,將搭載于東風風神、嵐圖等自主品牌車將搭載于東風風神、嵐圖等自主品牌車。


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